Funktionsprinzip der klassischen Teslaspule
Die
klassische Teslaspule, auch Teslagenerator genannt wurde 1901 von
Nikola Tesla erfunden. Er diente zur Erzeugung hochfrequenter
Schwingungen mit großer Leistung. Da Tesla zu diesem
Zeitpunkt
keinerlei elektronischer Schalter zum Schalten großer Leistungen zur
Verfügung stand, benutzte er eine Funkenstrecke als Schalterersatz.
Vom
Ansatz war seine Spule ein Schwingkreis aus Kondensator (C) und Primärspule
und einem Transformator mit einem großen Übersetzungsverhältnis, der
Spannungen von über 100kV ermöglichte. Primärspule und Sekundärspule
stehen dabei in Resonanz, was eine maximale Energieübertragung
gewährleistet. Da ein HF-Schwingkreis ständig Energie durch die
Aussendung verliert, muss diese immer wieder nachgeliefert werden.
Damit die Schwingung dabei nicht unterbrochen wird, ist es wichtig,
dass die elektrische Energie immer zum richtigen Zeitpunkt
nachgeliefert wird. Dies stellte Tesla durch die Funkenstrecke (F) sicher,
die immer dann zündet, wenn die Halbwelle der Sinusschwingung ihr
Maximum erreicht.
Diese Entdeckung, die ursprünglich von Heinrich Hertz stammt,
wurde auch in den sogenannten Knallfunkensendern genutzt. Mit dem
Aufkommen von Elektronenröhre und dem Transistor wurde die Zuführung
der elektrischen Energie deutlich effizienter, leiser und sicherer gestaltet.
Für den Bau von Teslaspulen stehen eine Reihe von Bauprinzipien zur
Verfügung
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Klassische Ansätze mit Funkenstrecken, die Leistungen bis
zu mehren hundert Kilowatt erreichen können. Nachteil sind die sehr
hohen Spannungen von bis zu 10kV im Primärkreis und die nicht
unerhebliche Lärm- und Geruchsbelastung (Ozon) der Funkenstrecken. Bei großen Leistungen
müssen diese Funkenstrecken rotierend ausgeführt werden und sogar mit
Pressluft gekühlt werden.
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VTTC (Vakuum-Tube-Tesla-Coils) werden mit
Vakuum-Röhren betrieben. Auch hier ist die hohe Spannung von
bis zu 2kV im Primärstromkreis von Nachteil. Die Verlustleistung von
heute noch zugänglichen Röhren kann 400W betragen, das
ermöglicht Teslaspulen bis in den Kilowatt-Bereich zu bauen. Vorteil
der VTTCs ist die Unempfindlichkeit von Röhren gegenüber kurzfristigen
Überspannungen. Viele Röhren, die mit einer Versorgungsspannung von
300-600V betrieben werden, halten kurzfristig Spannungen von 6-8kV aus.
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SSTC (Solid-State-Tesla-Coils) verwenden Halbleiter als
Schaltelemente. Dies sind heute durchweg nur noch Leistungs-MOSFETs.
Dies ermöglicht Spannungen unter 50V zu benutzen. Nachteil ist die
große Empfindlichkeit der Halbleiter gegenüber Überspannungen. Dies
erfordert ein ausgereiftes Schutzkonzept mit superschnellen
Schaltdioden, die Überspannungen im Bereich von wenigen µs
ableiten, bevor der MOSFET Schaden nimmt. Für größere Leistungen werden
aber auch hier Spannungen bis zu 500V im Primärstromkreis verwendet, um
die Schaltströme klein zu halten.
Eine neue Entwicklung sind Teslaspulen, die mit Audiosignalen moduliert
werden. Diese können dann als Hochtonlautsprecher, die auch als
Plasmahochtöner bezeichnet werden, eingesetzt werden. Die Modulation
kann durch Amplitudenmodulation, Pulsweitenmodulation und
Frequenzmodulation erfolgen.
Brückenschaltungen
Es gibt zwei Arten von Brückenschaltungen, die Halbbrücken und die
Vollbrücken. Halbbrücken bestehen aus einem MOSFET oder auch einem
normalen bipolarenTransistor, Vollbrücken benötigen immer zwei
Transistoren (bipolar oder MOSFET). Das
Schaltprinzip ist sehr einfach. Der Transistor kennt nur zwei
Zuständen, offen oder geschlossen. Dadurch wird die Verlustleistung auf
ein Minimum reduziert, trotzdem können sehr große Leistungen geschaltet
werden. Die Halbbrücke ist deutlich einfachen zu realisieren als die
Vollbrücke. Nachteil der Brückenschaltung ist, dass das Timing,
also das Schalten der Transistoren genau zum richtigen Zeitpunkt
erfolgen muss. Ist das Schaltsignal nicht sauber, kommt es zum
Kurzschluß in der Brücke und damit zur Zerstörung der Transistoren. Mosfets ermöglichen Schaltleistungen bis in den kA-Bereich.
Power-MOSFETSchaltnetzteile
wurden zuerst als Massenware in Computern eingesetzt. Problem war, dass
der Computer große Leistungen bei kleinen Spannungen benötigt. Hätte
man dies mit normalen Trafos realisiert, wäre das Gewicht eines PCs um
15kg bis 20kg angestiegen. Auch die verwendete Kupfermenge hätte
den Preis deutlich steigen lassen. Alternative sind Schaltnetzteile,
die bei 20kHz arbeiten und daher nur sehr kleine Trafos mit wenigen
Windungen benötigen und die gleiche Leistung bereitstellen. Dazu muss
aber erst die 50Hz-Wechselspannung in eine 20kHz-Wechselspannung
umgewandelt werden. Dafür waren dann leistungsfähige MOSFETs
unabdingbar. Da diese als Massenware produziert werden, ist ihr Preis
sehr niedrig. Gute MOSFETs gibt es schon für unter einem Euro.

Das Bild zeigt das Prinzip eines einfachen Schaltnetzteils. Die
Netzspannung wird zuerst gleichgerichtet. Die Gleichspannung wird durch
eine Brückenschaltung in eine Wechselspannung mit der Frequenz 20kHz
umgewandelt. Diese wird mit einem kleinen Trafo der auf der Primärseite
ungefähr 40 Windungen und auf der Sekundärseite eine Windung hat in 5V
Wechselspannung transformiert. Diese wird gleichgerichtet und steht
dann als 5V Gleichspannung zur Verfügung. Das Gewicht des Trafos kann
bei wenigen 100g liegen, trotzdem kann eine Leistung von 50-100W
entnommen werden. Ein vergleichbarer normaler Trafo wiegt um die 10kg.
Bessere
Schaltnetzteile verwenden die Pulsweitenmodulation. Vom Prinzip
funktioniert das wie bei einer Taschenlampe mit Taster. Wird der Taster
langsam an und aus geschaltet, leuchtet die Glühlampe nur schwach. Je
schneller man den Taster drückt, umso heller leuchtet die Lampe. Dieses
Prinzip wird ebenfalls durch MOSFETs elektronisch realisiert. Vorteil
sind noch kleinere Trafos und eine regelbare oder eine lastangepasste Spannung. Nachteil der
höhere Schaltungsaufwand.
Resonanzfrequenz und AbstimmungBei
der Teslaspule gibt es zwei Schaltprinzipien. Teslaspulen, die mit
einer festen Frequenz betrieben werden und Teslaspulen mit regelbarer
Frequenz. Bei der Teslaspule wird maximale Energie
übertragen, wenn Primärschwingkreis (Primärspule + Kondensator) und der
Sekundärschwingkreis (Sekundärspule und Kapazität zwischen Spitze und
Erde) die gleiche Frequenz haben. Wird der Primärschwingkreis mit einer
festen Frequenz betrieben, so muss die Frequenz der
Sekundärspule dazu passend gewählt werden. Die erfordert einen z.T.
schwierigen Abgleich. Ein anderes Prinzip verwendet die Rückkopplung.
Dabei wird die Schwingfrequenz der Sekundärspule zurm
Primärschwingkreis rückgekoppelt, der dann automatisch auf der gleichen
Frequenz schwingt. Eine solche Spule muss nicht abgeglichen werden.
Beide Schaltprinzipien haben Vor- und Nachteile und werden deshalb je
nach Anwendung eingesetzt.
Erläuterung zu den verwendeten BauteilenElkos oder ElektrolytkondensatorenElkos
dienen zur Glättung von Gleichspannungen und zum Zwischenspeichern von
elektrischer Energie. Die Kapazität ist ein Maß dafür, wie viel Energie
in einem Elko gespeichert werden kann. Die Speicherkapazität von Elkos
ist bei vergleichbarer Baugröße um den Faktor 100-1000 größer als bei
normalen Kondensatoren. Durch das Prinzip der
Brückenschaltung fließt kurzfristig ein sehr großer Strom im
Primärstromkreis. Diesen kann der Trafo so nicht liefern. Folge wäre,
dass die Spannung stark einbrechen würde, die Schaltung funktioniert
nicht mehr. Daher wird
die Energie den Elkos entnommen und in der Zeit, wo kein Strom fließt
werden diese wieder über den Trafo aufgeladen. So bleibt die
Spannung nahezu konstant. Aufgrund der hohen
Ströme sind insgesamt 3 Elkos mit jeweils 4700µF erforderlich. Der
kleine Tantalkondensator dient zur Stabilisierung der 15V-Spannung,
gleiche Funktion hat der 1000µF-Kondensator.
100nF-Kondensatoren und 4,7µF_KondensatorIn
der Schaltung enstehen hochfrequente Schwingungen. Diese stören die
empflindlichen Bauteile. Durch die 100nF-Kondensatoren wird die
hochfrequente Wechselspannung kurzgeschlossen und damit die Bauteile
geschützt. Der 4,7µF Kondensator schließt alle Störspannungen,
die über die Netztleitung kommen sicher kurz und schützt zusätzlich den
Brückengleichrichter vor Störsignalen aus dem Gerät.
DiodenBei
den Dioden sind vierTypen im Einsatz. Die Dioden 1N4007 sind normale
Dioden. Sie dienen in der Schaltung zur Erzeugung einer geregelten
Gleichspannung für das Gate der MOSFETS.
Die verwendeten
Zenerdioden dienen dazu, eine konstante Spannung zu erzeugen. Bis zu
ihrer Zenerspannung verhalten sie sich wie normale Dioden. Wird die
Zenerspannung überschritten, werden sie auch in Sperrrichtung
durchlässig. Somit begrenzen sie die Spannung genau auf ihre
Zenerspannung. Damit sie dabei durch Kurzschluß nicht zerstört werden,
muß der Strom mit einem Widerstand begrenzt werden.
Die Diode SF18
(SuperFast Diode) ist eine extrem schnelle Schaltdiode. Die den vollen
Stromfluß in weniger als 1µs bereitstellt. Eine solche Diode diet als
Schutzdiode für die Gates der MOSFETs.
Die Dioden 1N5819 sind sogennannte Schottky-Dioden. Ihre Arbeitsweise entspricht den Zehnerdioden in etwa.
TransistorenEs
werden in der Schaltung MOSFETs , Power-MOSFETs undnormale bipolare
Transistoren verwendet. Der BUZ11 ist ein MOSFET, die IRF3205 sind die
beiden POWER-MOSFETs der Brückenschaltung. Dier BD912 ist ein
xxx-Bipolar-Transistor.
Brückengleichrichter KBU8ADamit die
Schaltung direkt an den Wechselspannungsausgang des Ringkerntrafos
angeschlossen werden kann, muß die Wechselspannung noch gleichgerichtet
werden. Dazu wird ein Brückengleichrichter mit einem Maximalstrom von
8A verwendet. Der Strom in der Schaltung liegt bei ungefähr 5-6A, daher
ist ein Kühlkörper auch bei Dauerbetrieb nicht erforderlich.
MetallschichtwiderständeIn
der Schaltung werden Metallschichtwiderstände verwendet. Diese haben
bei kleiner Bauform eine deutlich größere Belastbarkeit und eine
bessere Temperaturstabilität gegenüber Kohleschichtwiderständen. Der
Farbcode entspricht nicht dem der normalen Kohleschichtwiderständen.
Weitere Infos dazu findet man hier.
Ringkernübertrager auch Balun genanntDie
Ansteuerung der Gates der beiden POWER-MOSFETs muß zur richtigen Zeit
erfolgen. Gleichzeitig stören dabei übergelagerte Gleichspannungen. Der
Ringkernübertrager entkoppelt die Ansteuerungselektronik von den
POWER-MOSFETs.
Durch das Windungsverhältnis kann die Zündspannung der MOSFETs genau
eingestellt werden. Alternativ gibt es fertige Ansteuerungs-ICs, diese
sind aber relativ teuer und erfordern mehr Schaltaufwand.